-
A6 RF متغير المخفف RF المخفف
مواصفات نموذج التكرار. النطاق التوهين و VSWR إدراج فقدان التخفيف التسامح GHZ الخطوة (MAX) DB （MAX） DB RKTXX-2-69-8.0-A6 DC-8.0 0-69DB 1DB الخطوة 1.5 1 ± 0.5dB (0 ～ 9db) ± 1.0db (10 ～ 19db) ± 2.0dB (50 ～ 69db) rktxx-2-69-12.4-A6 DC-12.4 1.6 1.25 ± 0.8db (0 ～ 9db) ± 1.0db (10 ～ 19db) ± 1.5db (20 ～ 49db) rktxx-2-69-18.0-a. ± 2.0dB (50 ～ 69db) rktxx-2-69-26.5-a6 dc-26.5 2 2 ± 1.5db (0 ～ 9db) ± 1.75db (10 ～ 19db) ± 2.0dB (20 ～ 49db) ± 2.5db (50 ～ 69db) rk ... -
RFTXX-05TA7265-18 مخفف microstrip مع الأكمام DC ~ 18.0 جيجاهرتز RF المخفف
نموذج RFTXX-05TA7265-18 (XX = قيمة التوهين) نطاق المقاومة 50 Ω نطاق التردد DC ~ 18.0 GHz الطاقة 5 W التوهين (DB) 01-10/11-20/21-30 مادة AL (الأكسدة الموصلة) عملية مقاومة درجة حرارة تشغيل سميكة -55 إلى +125 درجة مئوية (انظر DE DE -RATING) ROHS المتوافقة مع الخطوط العريضة الرسم (الوحدة: مم/بوصة) قطر القطر ... -
RFTXXA-02TA7265-12.4 MICROSTRIP LATENUATOR مع الأكمام DC ~ 12.4 جيجا هرتز RF مخفف
رسم مخطط تفصيلي (الوحدة: ملم/بوصة) تحمل القطر: ± 0.05 ، تحمل الطول: ± 0.05 الأداء النموذجي: 1DB الرسم البياني 3DB الرسم البياني 5DB الرسم البياني 7DB الرسم البياني 9dB الرسم البياني 20DB الرسم البياني 2DB 2DB GRATH 4DB 6DB الرسم البياني 8DB الرسم البياني 10DB التبديد ■ مطلوب تأريض جيد لضمان معلمات S ■ من أجل تلبية متطلبات الرسومات ، مشع ... -
RFTXX-05MA5263-12.4 Microstrip التخفيف DC ~ 12.4 جيجا هرتز RF التخفيف
النموذج NO RFTXX-05MA5263-12.4 (xx = قيمة التوهين) المقاومة الاسمية 50 Ω نطاق التردد DC ~ 12.4 جيجا هرتز القدرة المقدرة 5 W التوهين 01-10DB/11-20DB/21-30DB التحمل التوهين ± 0.6dB/± 0.7db/± 1.0db VSWR. <150ppm/℃ مادة الركيزة من عملية مقاومة BEO ، درجة حرارة تشغيل سميكة من -55 إلى +150 درجة مئوية (مخطط مرجعي لدحرجة الطاقة) المخطط (الوحدة: MM/بوصة) ملاحظة: 1. إذا كانت احتياجات العميل ، يمكننا تقديم ... -
RFTXXA-02MA4463-18 Microstrip التخفيف DC
نموذج NO RFTXXA-02MA4463-18 (xx = قيمة التوهين) المقاومة الاسمية 50 Ω نطاق التردد DC ~ 18.0 جيجا هرتز قوى 2 W التوهين 15、20、25、30DB التسامح التوهين A2O3 ± 1.0DB +150 درجة مئوية (رسم تخطيطي للطاقة المرجعية) الرسم التفصيلي (الوحدة: مم/بوصة) ملاحظة: 1. يقتصر هذا الحجم على 15-30dB. لقيم التوهين الأصغر ، لين ... -
RFTXX-1000FF3849-DINK-3 Coxial Fixial Leatenuator DC ~ 3.0GHz RF مخفف
نموذج RFTXX-1000FFF3849-DINK-3 (XX = قيمة التخفيف) نطاق التردد DC ~ 3.0GHz VSWR 1.35MAX POWER 1000 W ENTROMENT 50 Ω ATTENUTION 20DB/30、40、50DB DIMENTANT ± 3.5DB/± 3.0DB CONNECTOR DIN-K (F) درجة حرارة التشغيل -55 ~ +125 درجة مئوية (انظر DE-Power Deling) الوزن حوالي 17.6 كجم ROHS متوافق مع قواعد التسمية ، فإن الرسم البياني لتزجيج الطاقة ، استخدم الانتباه 1 、 تحمل الأبعاد ± 3 ٪ ؛ 2 、 إذا لزم الأمر ، يجب تبريد المنتج من أجل ... -
RFTXX-50RA3873-SMA-8 Coxial Fixial Leatenuator DC ~ 8.0GHz RF مخفف
نموذج RFTXX-50RA3873-SMA-8 (XX = قيمة التخفيف) نطاق التردد DC ~ 8.0GHz VSWR 1.25MAX POWER 50 W ENTER 50 Ω ATTENUTION 01-10DB/11-20DB/25、30DB/40、50、60DBDB TELERANCE ± 0.8DB/± 1.0DB SMA-J (M)/SMA-K (F) البعد φ38 × 104.5 مم درجة حرارة التشغيل -55 ~ +125 درجة مئوية (انظر DE Power Deving) الوزن حوالي 200 G ROHS المتوافق مع الخطوط العريضة (الوحدة: MM/بوصة) يمكن تغيير الموصل إلى SMA-M إلى SMA-F إلى SMA-F NAM ... -
RFTXX-10AM7750B-4 المخففات ذات الحواف DC ~ 4.0 جيجا هرتز RF المخفف
نموذج RFTXX-10AM7750B-4 (xx = قيمة التوهين) مقاومة 50 Ω نطاق التردد DC ~ 4.0GHz VSWR 1.20 كحد أقصى قدرة 5 W قيمة التوهين (DB) 0.5/01、02、03、04、07、10/11 توهين (DB) -0. <150ppm/℃ مادة الركيزة المادة البورسلين البورسلين المادة AL2O3 شفة النحاس المطلية بالنيكل 99.99 ٪ تقنية مقاومة الفضة الجنيه الاسترليني درجة الحرارة السميكة تشغيل درجة حرارة -55 إلى +150 درجة مئوية (انظر DE Power Deling) المخطط ... -
RFTXXA-05AM1104-3 مخففات متخهف DC ~ 3.0 جيجا هرتز RF
نموذج RFTXXA-05AM1104-3 (XX = قيمة التوهين) مقاومة 50 Ω نطاق التردد DC ~ 3.0GHz VSWR 1.20 كحد أقصى قدرة 5 W قيمة التوهين (DB) 01-10/15 ، 17 ، 20/25，30 مواد قبعة الخزف AL2O3 شفة النحاس المطلية بالنيكل الرصاص 99.99 ٪ تقنية مقاومة الفضة الاسترليني درجة الحرارة السميكة تشغيل درجة حرارة -55 إلى +150 درجة مئوية (انظر DE DE DERITING) رسم الخطوط العريضة (UN ... -
RFTXX-30AM0606-6 LEDED LEDED DC ~ 6.0GHz RF مخفف
نموذج RFTXX-30AM060606-6 (XX = قيمة التوهين) مقاومة 50 Ω نطاق التردد DC ~ 6.0GHz VSWR 1.25 MAX قدرة 30 W قيمة التوهين (DB) 01-10DB/15、20DB/25、30DB <150ppm/℃ المادة الركيزة المادة البورسلان قبعة المادة AL2O3 الرصاص 99.99 ٪ تقنية مقاومة الفضة الاسترليني درجة الحرارة السميكة تشغيل درجة حرارة -55 إلى +150 درجة مئوية (انظر DE DE DESTING) رسم الخطوط العريضة (الوحدة: MM/بوصة) L ... -
RFTXX-10AM2505B-4 المخففات المحملة DC ~ 4.0GHz RF مخفف
نموذج RFTXX-10AM2505B-4 (xx = قيمة التوهين) مقاومة 50 Ω نطاق التردد DC ~ 4.0GHz VSWR 1.20 كحد أقصى قدرة 5 W قيمة التوهين (DB) 0.5/01、02、03、04、07、10/11 توهين (DB) -0.0. <150ppm/℃ مادة الركيزة المادة البورسلان القبعة المادة AL2O3 الرصاص 99.99 ٪ تقنية مقاومة الفضة الاسترليني درجة الحرارة السميكة تشغيل درجة حرارة -55 إلى +150 درجة مئوية (انظر DE DE -RATING) رسم الخطوط العريضة (الوحدة: مم/بوصة) LEA ... -
RFTXXN-10CA5025C-3 CHIP ETENUATOR DC ~ 3.0GHz RF مخفف
نموذج RFTXXN-10CA5025C-3 (xx = قيمة التوهين) نطاق المقاومة 50 Ω نطاق التردد DC ~ 3.0 جيجا هرتز VSWR 1.25 MAX 10 W قيمة التوهين (DB) 01-10DB/11-20DB/21-30DB <150ppm/℃ مادة الركيزة ALN تقنية مقاومة درجة حرارة تشغيل الفيلم السميك -55 إلى +150 درجة مئوية (انظر DE Power Deling) الأداء النموذجي: الرسم البياني 2DB 20DB الرسم البياني 6dB رسم بياني 30 ديسيبل طريقة تثبيت الرسم البياني ...
